Desarrollan un modelo de simulador MOS-Varactor

TOKIO, JAPÓN (18/DIC/2012).- Toshiba Corporation anunció el desarrollo  de un modelo de simulador MOS-Varactor compacto que proporciona un gran nivel de  exactitud de CC a la región de onda milimétrica (60 GHz). El nuevo modelo fue  desarrollado en cooperación con el Profesor Nobuyuki Itoh de la Universidad de  la Prefectura de Okayama.

El nuevo modelo MOS-Varactor compacto introduce un algoritmo original para  expresar los efectos del escalamiento y puede capturar los impactos de los  efectos parasíticos que dominan la región de 60 GHz. Para el modelo se  utilizaron parámetros de medición de 1 MHz a 60 GHz para muestras con tamaños  de celdas distintos. En general, no es fácil expresar el MOS-Varactor con un solo modelo, pero este modelo recientemente desarrollado lo logra con todo éxito.

La captura exacta por parte del modelo nuevo de los efectos parasíticos  soporta la realización del bajo consumo de energía en productos RF-CMOS y  Toshiba utilizará una tecnología básica para desarrollar esos chips,  dispositivos clave de la División de circuitos integrados analógicos y de  imágenes de la compañía. Sobre la base del trabajo realizado hasta ahora,  Toshiba espera asegurar una simulación exacta de los circuitos de onda  milimétrica CMOS en el futuro. 

BSW